中际旭创硅光模式、专利布局与同业竞争力分析

一、硅光业务模式：非IDM的”设计-代工-外购”架构

中际旭创在硅光业务上采用典型的Fabless模式，即自主完成硅光PIC（Photonic Integrated Circuit）芯片设计，将晶圆制造环节外包给专业代工厂，核心光源则通过外部采购获得。这种模式在降低重资产资本开支的同时，使企业能够集中资源于设计迭代与客户认证，在快速变化的高速光模块市场中保持较高的灵活性。

1.1 自研设计环节

公司在硅光PIC芯片的架构设计层面具备自主能力，覆盖波导、调制器、探测器、光栅耦合器等光电回路设计。据公开披露信息，其1.6T硅光芯片已完成自研并实现规模化量产，800G硅光模块已在市场中占据较高份额。在封装耦合层面，公司积累了高精度耦合、倒装（Flip-chip）、COB异质集成等工程专利，这些技术对于降低光路损耗、提升模块良率与可靠性具有重要作用。

1.2 制造代工：与Tower建立紧密合作

中际旭创与以色列高塔半导体（Tower Semiconductor）建立了较为紧密的战略合作关系，基于Tower的PH18DM/PH18DA硅光PDK平台完成流片制造。Tower目前在全球硅光代工领域占据较高市场份额，其PH18DA平台支持1.6T PAM4调制，是目前全球范围内率先量产1.6T硅光PIC的代工厂之一。2026年2月，Tower进一步宣布与英伟达合作开发AI数据中心先进硅光子技术，从侧面印证了该平台在先进封装领域的技术地位。

据行业调研信息，中际旭创自研硅光芯片比例约70%，每月在Tower的流片量占其总流片需求的比例约为50%至60%，并已通过提前锁定产能的方式保障供应链安全。这种合作深度使得中际旭创在产能分配与平台联合迭代方面具备一定优势，但同时也意味着其硅光芯片供应对单一代工厂存在较高依赖。

1.3 光源外购：源杰科技为主要供应商

硅光模块的发射光源（CW连续波激光器）不属于PIC自研范畴，需向外采购。源杰科技是中际旭创CW激光器的重要供应商之一。公开信息显示，2018年至2020年间，中际旭创参与了源杰科技的多轮融资；源杰科技通过中际旭创间接进入了北美大型云服务供应商及英伟达供应链体系，并获得了相应的供应链认证。源杰科技核心产品包括50mW、70mW及100mW大功率CW激光器芯片，目前在全球硅光高速率光互连产品激光器芯片领域属于主要供应商之一。

1.4 量产现状与性能指标

中际旭创硅光产品占高速模块出货比重持续提升，主要供给北美AI算力客户。据行业报道，其自研硅光芯片良率约95%，硅光方案较传统EML方案在BOM成本与功耗方面均有较为明显的优化。1.6T硅光模块已进入批量供货阶段，这在一定程度上反映出其从芯片设计到模块集成的工程化能力已达到可规模交付的水平。

二、知识产权布局：应用层专利为主，底层专利存在缺口

中际旭创的知识产权布局呈现明显的”重应用、轻底层”特征，在封装耦合与系统集成层面形成了有效壁垒，但在SOI晶圆工艺、高速EML激光器等基础技术领域仍依赖海外专利池。

2.1 专利数量与统计口径差异

关于公司专利数量，不同披露文件存在统计口径差异：A股2025年年度报告显示，截至2025年12月31日，公司拥有专利411件，其中发明专利215件，2025年新增授权专利44件；而港股招股书披露，截至2026年3月31日，公司在中国及海外拥有506项已授权专利、20项著作权及148个商标。差异主要源于统计时点不同，以及港股招股书可能纳入了更多海外同族专利与软件著作权配套。

2.2 技术领域分布

公司专利布局覆盖多个技术层级。在芯片设计层，专利集中于PIC架构、波导、调制器、探测器、光栅耦合与光路补偿；在封装耦合层，高精度耦合、倒装、COB异质集成等降低耦合损耗的工程专利是核心优势；在系统整机层，覆盖高速信号匹配、硅光模块测试算法、OSFP/QSFP-DD封装结构等；在下一代技术储备方面，CPO/NPO/XPO相关专利涉及光引擎架构、中介层基板、光电合封、热管理与接口协议，大量属于前瞻储备性质，配合英伟达、博通等行业参与者推进标准制定。

此外，公司在热管理领域也持有VC均热板、液冷适配、高密度模块散热结构等专利，直接服务于AI算力集群的高功耗场景。地域布局上，美国、欧洲存在大量同族专利，这有助于满足海外大客户的知识产权准入要求，并在一定程度上降低出海过程中的专利纠纷风险。

2.3 专利短板与潜在风险

需要关注的是，高速EML激光器、DSP电芯片的底层基础专利主要掌握在海外厂商手中；SOI硅光晶圆、异质集成底层工艺专利归属晶圆厂及海外研究机构。中际旭创的专利优势集中于集成、封装与整机系统层面，并非材料与器件底层基础专利。这意味着在未来技术演进或海外专利诉讼中，公司可能面临一定的知识产权风险。此外，CPO/NPO相关专利大量属于前瞻性储备，尚未进入大规模商用阶段，其商业价值需等待行业技术拐点方能释放。

三、同业对比：中际旭创、新易盛与剑桥科技的差异化定位

国内高速光模块企业在硅光路线上呈现出明显的差异化策略。通过横向对比可以发现，各厂商在自研深度、代工关系、产品路线与专利储备方面存在显著差异。

从上述对比可以看出，中际旭创在硅光路线的自研深度与量产规模上具备较为明显的优势，其通过提前锁定Tower产能与自主设计芯片，在1.6T高速模块的交付能力上与国内同行形成了一定差异化。新易盛则选择以LPO方案作为主攻方向，硅光作为技术储备与补充路线，这种策略在短距互联场景中具备成本与功耗优势。剑桥科技依托JDM模式深度参与海外客户产品定义，在定制化响应速度上具备特点，但在底层芯片自主可控方面相对薄弱。

海外巨头方面，博通、Cisco等企业在硅光底层调制、异质集成领域持有大量基础专利；OpenLight等企业在III-V与硅异质集成方面拥有较深的专利积累，国内厂商在短期内较难触及这些底层基础专利池。

四、对市场竞争力的影响评估

4.1 正向价值

首先，硅光方案的成本与功耗优势有助于巩固中际旭创在AI光模块市场的主要供应商地位。自研硅光PIC叠加封装耦合专利，使其在北美AI算力集群中获得较多订单，并在量产工程能力上与国内同行形成一定差异。其次，硅光方案减少了对高速EML通道的需求，在一定程度上缓解了高端EML芯片的供给压力；不过CW光源与DSP芯片仍然依赖外部供应链，尚未实现完全自主。再次，硅光领域积累的耦合、封装与热管理专利可以直接迁移至CPO/NPO架构，使公司具备参与下一代国际标准定义的资质与经验。最后，海外同族专利布局有助于满足大客户知识产权准入要求，并为潜在的专利反制提供基础。

4.2 局限性与风险

一方面，公司专利以应用改良、集成封装为主，底层材料与异质集成基础专利仍掌握在海外实体手中，存在潜在的海外专利纠纷风险。另一方面，CPO/NPO大量专利属于前瞻性储备，尚未大规模商用，专利价值需要等待行业技术拐点。此外，专利是必要壁垒，但最终竞争力仍取决于良率控制、大规模交付能力、客户认证进度及晶圆代工厂产能保障，专利本身难以单独构成护城河。对Tower代工的较高依赖度也意味着，一旦代工厂产能出现波动或平台迭代延迟，将直接影响公司硅光产品的交付节奏。

五、结论

中际旭创通过”自研设计+Tower代工+光源外购”的非IDM模式，在硅光高速光模块领域建立了较为显著的量产优势。其知识产权布局在封装耦合与系统集成层面形成了有效壁垒，但在SOI晶圆工艺、高速EML激光器等基础专利领域仍存在明显短板。相较于新易盛（LPO为主、硅光为辅）和剑桥科技（JDM集成为主），中际旭创在硅光路线的自研深度、代工绑定强度及量产规模上处于较为领先的位置。未来竞争的关键将不仅在于专利数量，更取决于1.6T及更高速率产品的良率控制、客户认证进度与晶圆产能保障能力。对于关注光通信产业链的从业者与研究者而言，评估一家企业的硅光竞争力，需综合考察其芯片自研深度、代工合作关系、专利结构层次以及量产交付记录，而非单纯依据专利数量作出判断。

六、行业应用与延伸思考

从更广泛的产业视角看，硅光技术的演进与AI算力基础设施建设密切相关。随着数据中心内部互联速率从800G向1.6T乃至3.2T升级，传统可插拔光模块在功耗密度与信号完整性方面面临越来越大的挑战。CPO（共封装光学）与NPO（近封装光学）被视为下一代互联方案的重要方向，但其商业化进程取决于封装工艺成熟度、供应链协同能力与行业标准统一进度。

对于光通信设备商与云服务商而言，在选择光模块供应商时，除了关注速率与成本指标外，还需评估供应商的硅光芯片自主设计能力、与代工厂的产能绑定关系，以及在下一代CPO/NPO架构中的专利储备与标准参与度。对于投资者与行业研究人员，建议持续跟踪各厂商在1.6T硅光模块的良率数据、客户认证进展以及Tower等代工厂的产能扩张计划，这些因素将直接影响未来两到三年内的市场格局变化。